二元高-k材料研究进展及制备

二元高-k材料研究进展及制备

随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.

作 者： 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 张志成 陈诺夫 林兰英   作者单位： 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083  刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(5)  分类号： O48 TB79  关键词： 高-k材料   蒸发法   CVD   IBD  

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