含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究?
分别以硅-二氧化硅和锗-二氧化硅复合靶作为溅射靶，采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至1100℃不同温度的退火处理.使用高分辨透射电子显微镜可以观察到经900和1100℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的纳米硅粒，和经900和1100℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒.经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型，且它们的发光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO2层中发光中心上的复合发光，对实验结果进行了合理的解释.
秦国刚,尤力平(北京大学物理系,)
王印月(兰州大学物理科学与技术学院,)
刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2001 50(8) 分类号： O4 关键词： 光致发光 纳米硅 纳米锗 发光中心