一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究

一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究

采用平面波法(PWM)计算一维光子晶体的带隙结构.分别就构造一维光子晶体结构的高低折射膜层的介电常数及填充比(高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值)对禁带带隙宽度的影响作出分析.通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系图,以确定最佳的禁带带宽,从而设计一维光子晶体的周期结构.对高低折射膜层为GaAs/空气组成的一维光子晶体,介电常数比约为13/1,当填充比为0.16时,计算得禁带带宽为0.2564×2πc/Λ,禁带的中心频率为0.3478×2πc/Λ,与实验数据吻合.

作 者： 刘兵 竺子民 LIU Bing ZHU Zi-min   作者单位： 华中科技大学,光电子科学与技术学院,湖北,武汉,430074  刊 名： 应用光学  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF APPLIED OPTICS  年，卷(期)： 2007 28(4)  分类号： O734.2 TN303-34  关键词： 平面波法   光子禁带   带隙宽度   最小二乘曲线和曲面拟合