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管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算
在热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石膜的传统管道反应器中,对不同传热机制下管道壁温度场的空间分布进行了模拟计算.结果表明,管道壁温度场在纯热辐射机制作用下的分布很不均匀;在绝热和恒温的边界条件下考虑热传导作用后,管道壁温度分布的均匀性大大提高;进一步的热对流作用仅提高管道壁的总体温度,并不显著改变管道壁温度场的均匀性分布.
作 者: 汪爱英 纪爱玲 邹友生 孙超 黄荣芳 闻立时 作者单位: 中国科学院金属研究所,沈阳,110016 刊 名: 人工晶体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年,卷(期): 2002 31(6) 分类号: O484 关键词: 热丝化学气相沉积 金刚石膜 温度场 模拟计算【管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算】相关文章:
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