不同厚度CdSe阱层的表面上自组织CdSe量子点的发光性质
利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光.稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时,宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应.通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布[1].
作 者： 胡学兵 郑著宏 公维炜 郑金桔 高威 HU Xue-bing ZHENG Zhu-hong GONG Wei-wei ZHENG Jin-ju GAO Wei 作者单位： 胡学兵,公维炜,郑金桔,高威,HU Xue-bing,GONG Wei-wei,ZHENG Jin-ju,GAO Wei(中国科学院,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100049)郑著宏,ZHENG Zhu-hong(中国科学院,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033)
刊 名： 发光学报 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2007 28(5) 分类号： O482.31 关键词： S-K模式 自组织生长 CdSe量子点 发光