基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量
使用紫外-可见光分光光度计,研究用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生成在蓝宝石衬底上的GaN薄膜的反射光谱、透射光谱以及用分子束外延(MBE)方法生成在碳化硅衬底上GaN薄膜的反射光谱,结果表明,所测的GaN薄膜和体材料的光学吸收边出现在364 nm附近, 对应的禁带宽度为3.41 eV.在两种不同衬底上,薄膜的反射谱由于材料晶格常数和热膨胀系数的不同有所差别.
作 者： 齐学义 李晨晨 杨国来 蔡丽霞 QI Xue-yi LI Chen-chen YANG Guo-lai CAI Li-xia 作者单位： 齐学义,李晨晨,杨国来,QI Xue-yi,LI Chen-chen,YANG Guo-lai(兰州理工大学,流体动力与控制学院,甘肃,兰州,730050)蔡丽霞,CAI Li-xia(兰州理工大学,机电工程学院,甘肃,兰州,730050)
刊 名： 兰州理工大学学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2007 33(5) 分类号： O433.1 O484.5 关键词： 氮化镓薄膜 反射光谱 透射光谱