用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo模拟
用分子自组装技术制备出纳米金单电子器件,并测量了其伏安特性,根据单电子系统的半经典理论,用Monte Carlo法对其结果进行了模拟.结果表明,模拟出的伏安曲线与实测的伏安曲线有较好的一致性,反映了模拟方法用于单电子器件研究的合理性,此外发现,虽然单电子器件两电极间含有众多的纳米粒子,但在低压区,其伏安特性只与少数纳米粒子有关.
作 者： 王伟 黄岚 张宇 李昌敏 张海黔 顾宁 沈浩瀛 陈堂生 郝丽萍 彭力 赵丽新 作者单位： 王伟,黄岚,张宇,李昌敏,张海黔,顾宁(东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,南京,210096)沈浩瀛,陈堂生,郝丽萍(信息产业部第55研究所,南京,210016)
彭力,赵丽新(华晶电子集团公司掩模工厂,无锡,214061)
刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(1) 分类号： O4 关键词： 单电子器件 Monte Carlo模拟,分子自组装