横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究

横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究

建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗(GMI)效应中的磁化模型,采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法,同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响,推导出比较完善的用于二维铁磁体横向巨磁阻抗效应理论研究的磁导率张量的表达式.

作 者： 董承远 陈世朴 徐祖耀   作者单位： 上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200030  刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(5)  分类号： O441.2 O482.51  关键词： 巨磁阻抗效应   二维铁磁体   磁化机制   磁导率  

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