直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜
用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K.
作 者： 马平 刘乐园 张升原 王昕 谢飞翔 邓鹏 聂瑞娟 王守证 戴远东 王福仁 作者单位： 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系,北京,100871 刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(2) 分类号： O4 关键词： 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁