低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究
本文提出了一种新颖的结合自组装技术和电子束直写曝光以及选择性化学沉积制备图案化薄膜方法.利用X-射线光电子能谱(XPS),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)紫外可见光谱仪(Analytic Jena AG)进行了表征.结果表明该方法取得了选择性较好的图案化金薄膜微结构图形.文中对胶体金纳米颗粒尺寸的选择以及金薄膜图案的粘附性能也进行了探讨.该方法有望应用于微/纳电子工业中.
作 者: 陈炯枢 陈学康 刘相 刘建喜 CHEN Jiong-shu CHEN Xue-kang LIU Xiang LIU Jian-xi 作者单位: 陈炯枢,陈学康,CHEN Jiong-shu,CHEN Xue-kang(兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000)刘相,刘建喜,LIU Xiang,LIU Jian-xi(中科院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000)
刊 名: 真空 ISTIC PKU 英文刊名: VACUUM 年,卷(期): 2007 44(6) 分类号: O484 TB43 关键词: 电子束直写曝光 选择性化学沉积 图案化