助熔剂法生长GaPO4晶体
采用助熔剂法生长了GaPO4晶体.热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1 070℃,采用紫外-可见分光光度计测量了晶体的室温紫外-近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱.结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH-基团的产生.
作 者： 李静 梁曦敏 徐国纲 赵洪阳 王继扬 LI Jing LIANG Xi-min XU Guo-gang ZHAO Hong-yang WANG Ji-yang 作者单位： 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 刊 名： 压电与声光 ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年，卷(期)： 2007 29(6) 分类号： O782.4 关键词： 助熔剂法 GaPO4 光谱性质