电子束蚀刻聚酰亚胺制备微孔分离膜的研究
以电子束蚀刻技术,结合微孔掩膜和溶液氧化腐蚀的方法,制备聚酰亚胺(Polyimide,PI)微孔分离膜.通过称重法,讨论了吸收剂量、腐蚀时间和腐蚀温度等因素对PI基膜蚀刻和腐蚀的影响,结果表明,随着吸收剂量、腐蚀温度和腐蚀时间的增加,PI基膜更容易被腐蚀;IR检测结果表明,辐照导致PI分子化学键断裂,分子量变小,是辐照PI腐蚀失重率增加的原因;试验对微孔铅和铁掩膜遮蔽的PI基膜进行电子辐照,再用浓硫酸和重铬酸钾混合溶液腐蚀辐照PI基膜,得到具有规则且垂直孔道的聚酰亚胺微孔分离膜.
作 者: 吴新锋 李红斌 郝旭峰 周菲 邓邦俊 费舜廷 周瑞敏 WU Xinfeng LI Hongbin HAO Xufeng ZHOU Fei DENG Bangjun FEI Shunting ZHOU Ruimin 作者单位: 吴新锋,WU Xinfeng(上海大学环化学院化工系,上海,201800;上海大学射线应用研究所,上海,201800)李红斌,LI Hongbin(上海大学环化学院化工系,上海,201800)
郝旭峰,周菲,邓邦俊,费舜廷,周瑞敏,HAO Xufeng,ZHOU Fei,DENG Bangjun,FEI Shunting,ZHOU Ruimin(上海大学射线应用研究所,上海,201800)
刊 名: 辐射研究与辐射工艺学报 ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF RADIATION RESEARCH AND RADIATION PROCESSING 年,卷(期): 2007 25(6) 分类号: O633.21 O571.33 Q691.2 关键词: 电子束辐照 聚酰亚胺 腐蚀 分离膜 蚀刻