15.14 MeV/u 136 Xe离子引起的单粒子效应
研究了15.14MeV/u 136 Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应. 获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系. 将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值. 估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.
作 者： 侯明东 张庆祥 刘杰 王志光 金运范 朱智勇 甄红楼 刘昌龙 陈晓曦 卫新国 张琳 樊友诚 祝周荣 张弋艇 作者单位： 侯明东,张庆祥,刘杰,王志光,金运范,朱智勇,甄红楼,刘昌龙,陈晓曦(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000)卫新国,张琳,樊友诚,祝周荣,张弋艇(中国航科集团航天计算机研究所,上海,200050)
刊 名： 高能物理与核物理 ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS 年，卷(期)： 2002 26(9) 分类号： O57 关键词： 单粒子翻转 单粒子闭锁 静态存储器 single event upset single event latchup SRAM