三缺位杂多阴离子α-A-PW9O9-34的苯基硅衍生物的合成和晶体结构
合成了三缺位杂多阴离子的苯基硅衍生物(TBA)3[?α-A-PW9O34(PhSiO)3(PhSi)]*2H2O(记为1, TBA为四丁基铵阳离子), 并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征, 研究了化合物的热性质. 结构分析结果表明, 该化合物属三方晶系, 空间群R3, 晶胞参数a=1.416 96(16) nm, b=1.421 63(16) nm , c=1.416 61(16) nm, α=99.801(17)°, β=99.843(17)°, γ=99.844(17)°, V=2.711 1(5) nm3. Z=1, R=0.054 8. 该化合物的阴离子是由1个α-A-PW9单元, 通过6个W-O-Si桥键与3个PhSiO单元相连, 3个PhSiO又通过Si-O-Si桥键与另1个处于帽位的PhSi相连, 形成饱和闭合笼形结构.
