空位缺陷对高自旋极化材料Fe3F4磁电性能的影响

时间:2023-05-02 14:48:04 数理化学论文

空位缺陷对高自旋极化材料Fe3F4磁电性能的影响

Fe3F4是一种高自旋极化材料,在自旋电子器件中具有广阔的应用前景.采用第一性原理赝势法计算了3种Fe空位缺陷对Fe3F4磁电性能(能态密度、电荷分布、分子磁矩等)的影响,并利用配位场理论分析了3种空位缺陷影响Fe3F4磁电性能的微观机理.

作 者: 孙雷 董会宁 刘俊 李登峰 SUN Lei DONG Hui-ning LIU Jun LI Deng-feng   作者单位: 重庆邮电大学,应用物理研究所,重庆,400065  刊 名: 重庆邮电大学学报(自然科学版)  ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF CHONGQING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS(NATURAL SCIENCE)  年,卷(期): 2007 19(6)  分类号: O614.81+1 O614.33+1  关键词: Fe3F4   空位缺陷   磁电性能   自旋极化  

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