适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角的扇形.实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性,实现了偏振灵敏度小于0.5 dB,100 mA偏置时可达0.1 dB.在较大的电流范围内,峰的半高全宽(FWHM)为40 nm.
作 者： 殷景志 刘素萍 刘宗顺 王新强 殷宗友 李正庭 杨树人 杜国同 作者单位： 殷景志,王新强,殷宗友,李正庭,杨树人,杜国同(吉林大学电子工程系,吉林,长春,130023)刘素萍,刘宗顺(中国科学院半导体所,北京,100083)
刊 名： 中国激光 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS 年，卷(期)： 2003 30(1) 分类号： O436.3 关键词： 物理光学 InGaAsP 张应变阱 压应变阱 偏振不灵敏 增益介质