射频磁控溅射中离子输运的计算机模拟
采用射频辉光放电等离子体壳层模型和蒙特卡罗法,模拟了射频磁控溅射镀膜中工作气体离子(Ar+)的输运过程,得到了离子到达靶面时的入射能量、角度和位置.模拟结果:对靶材溅射的离子主要来自于溅射坑上方的等离子体区域,初始离子的位置分布可通过靶材溅射坑的形貌拟合得到;离子的能量主要集中在壳层电压附近,离子大多数以垂直入射.模拟与实际相符,可用作进一步模拟离子对靶材溅射时的输入参数.
作 者： 李阳平 刘正堂 耿东生 作者单位： 西北工业大学材料科学与工程系,陕西,西安,710072 刊 名： 真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2003 23(3) 分类号： O484 关键词： 射频磁控溅射 计算机模拟 离子输运