掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势.用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现:掺磷的nc-Si:H薄膜XRD 峰位的二倍衍射角约为33°.掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47°.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到:较高的衬底温度引起序参量改变,使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长.适当的电场作用引起序参量改变,导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的自由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长.
作 者： 韦文生 王天民 张春熹 李国华 作者单位： 韦文生,王天民(北京航空航天大学理学院,北京,100083)张春熹(北京航空航天大学宇航学院,北京,100083)
李国华(中国科学院半导体研究所,北京,100080)
刊 名： 北京航空航天大学学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF AERONAUTICS AND ASTRONAUTICS 年，卷(期)： 2003 29(9) 分类号： O613.72 O613.8+1 O613.62 关键词： 掺杂 电场 温度 择优生长 nc-Si:H薄膜 纳米硅晶粒