Keggin型多阴离子[XW-(12)O-(40)]~(n-)(X=Si

Keggin型多阴离子[XW-(12)O-(40)]~(n-)(X=Si,Ge,P,As)电子性质的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论方法研究了Keggin型多阴离子[XW_(12)O_(40)]~(n-)(X=Si,Ge,P,As)的电子性质,在几何优化基础上,分析杂原子对体系的几何结构,电子性质,氧化还原性质的影响.结果表明:杂原子对多阴离子的键长有影响,变化规律与杂原子半径递变一致;杂原子的电子性质影响多阴离子的氧化性,多阴离子的氧化能力随杂原子的电负性增大而提高;杂原子的核电荷数越大,该多阴离子的氧化性越强;多阴离子的酸强度与杂原子的电负性次序一致.

作 者： 陈敏娥 甘雄 李茂莲 CHEN Min-e GAN Xiong LI Mao-lian   作者单位： 钦州学院,生物与化学系,广西,钦州,535000  刊 名： 化学世界  PKU 英文刊名： CHEMICAL WORLD  年，卷(期)： 2009 50(10)  分类号： O614  关键词： Keggin型多阴离子   密度泛函理论   电子性质   Keggin type polyanion   density functional theory   electronic property