HfO2和Al2O3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究
密度泛函理论研究了用HfCl4和AI(CH3)3作为前体,HfO2和Al2O3在硅表面的原子层沉积的机理,其包括2个沉积半反应:(1)HfCl4和Al-OH*的表面反应;(2)Al(CH3)3和Hf-OH*的表面反应.计算结果表明,2个半反应过程机理相似,内禀反应坐标研究也表明2个半反应经历了相似的过渡态和副产物的消除路径.另外,升高反应温度,反应(1)中间体的解吸附作用增强,而活化能降低,反应(2)活化能基本不变.
崔永琴,CUI Yong-qin(张家口市环境监测站,河北张家口,075000)
于战海,YU Zhan-hai(宣化钢铁集团有限责任公司,河北宣化,075100)
刊 名： 河北科技大学学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2008 29(2) 分类号： O641 关键词： 密度泛函理论 介质氧化物 原子层沉积