基片温度对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO2薄膜结构与亲水性的影响
在工作气压为2.0 Pa的氧气氛下, 通过改变基片温度(室温, 280 ℃, 420 ℃), 在预先镀10 nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了300 nm左右的TiO2薄膜试样.用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素组成、离子状态和物相组成, 用接触角分析仪测试了试样在紫外光照射后的水润湿角.结果表明: 试样表面的钛离子都以+4价的形式存在, 氧化钛表面易吸附OH-和CO32-, 氧化钛中n (O)∶n (Ti) =1.90～1.97; 基片不加热时, 试样是非晶态, 升高基片温度, 薄膜结晶逐渐完善, 并以锐钛矿形式存在. 在相同时间的紫外线照射下, 非晶TiO2膜的润湿角从34 °降低到22 °,而结晶完好的试样的润湿角从18 °～24 °降低到5 °.
作 者： 赵青南 刘保顺 赵修建 SLEIGHT A W 作者单位： 赵青南(武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室;武汉理工大学材料研究与测试中心,武汉,430070)刘保顺,赵修建(武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室)
SLEIGHT A W(美国俄勒冈州立大学化学系新材料研究中心,Corvallis,OR 97331,USA)
刊 名： 硅酸盐学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY 年，卷(期)： 2003 31(7) 分类号： O647 关键词： 二氧化钛薄膜 亲水性 直流磁控溅射 基片温度