焦平面探测器ZnS增透技术研究
在InSb焦平面探测器(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大InSb芯片对红外光的吸收.本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnS膜和SiO2膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性.
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