基于氮氧化物的高k栅介质研究现状

基于氮氧化物的高k栅介质研究现状

摘要： 氮氧化物在MOS器件高k栅介质研究中得到了广泛的.重视.本文从材料、工艺、性能等角度综述了目前氮氧化物的研究进展,对氮化改性应用于高k栅介质的利弊作了重点探讨. 作 者： 徐文彬    王德苗   作者单位： 徐文彬(集美大学信息工程学院,福建厦门,361021)

王德苗(浙江大学信电系,浙江杭州,310027) 

期 刊： 科技创新导报    Journal： SCIENCE AND TECHNOLOGY INNOVATION HERALD  年，卷(期)： 2010, (8)  分类号： X701  关键词： 氮氧化物    栅介质    氮化   

【基于氮氧化物的高k栅介质研究现状】相关文章：

高k栅介质薄膜材料研究进展11-29

基于FEM的叶栅动态特性仿真研究10-03

氮氧化物排放模型及排放清单研究现状12-30

我国氮氧化物治理技术的现状和研究进展07-20

基于K近邻分类间隔的特征选择方法研究10-07

有偿家教的历史与现状-基于文献研究的综述07-12

二元高-k材料研究进展及制备07-05

高EGCG茶的研究现状及发展趋势07-03

基于介质阻挡放电低温原子化的非色谱汞形态分析方法研究07-24