基片及基片温度对Fe4N薄膜的形成及其特性的影响
以双离子束溅射法在(111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,以(111)硅片为基片,可制得无晶粒择优取向的单一γ1-Fe4N相;而以玻璃为基片,在基片温度为160℃时,则可制得具有(100)面晶粒取向的单一γ1-Fe4N相薄膜;与无晶粒择优取向的γ1-Fe4N相比较,具有(100)面晶粒取向的γ1-Fe4N相的矫顽力较低,易达到磁饱和,但二者的饱和磁化强度基本一致.
作 者： 诸葛兰剑 姚伟国 吴雪梅 王文宝 作者单位： 诸葛兰剑,王文宝(苏州大学,分析测试中心,江苏,苏州,215006)姚伟国,吴雪梅(苏州大学,物理系,江苏,苏州,215006)
刊 名： 功能材料 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年，卷(期)： 2002 33(5) 分类号： O484 关键词： 双离子束溅射 基片 γ1-Fe4N薄膜 晶粒取向