射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
作 者： 朋兴平 王志光 宋银 季涛 臧航 杨映虎 金运范 作者单位： 朋兴平(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)王志光,宋银,臧航,金运范(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000)
季涛,杨映虎(兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)
刊 名： 中国科学G辑 ISTIC PKU 英文刊名： SCIENCE IN CHINA(SERIES G) 年，卷(期)： 2007 37(2) 分类号： O6 关键词： ZnO薄膜 X射线衍射谱 光致发光谱 衬底温度 射频反应溅射