硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究
利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(100)表面生长Si,Ge的实验研究.分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质.研究表明:Si在Si(100)表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜.Ge在Si(100)表面生长形成规则的三维小岛.而在Si/Ge/Si(100)多层膜上生长则形成大小二种三维岛.研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构.
王学森,胡艳芳(香港科技大学物理系,香港九龙清水湾,复旦大学物理系,上海,200433)
刊 名： 真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2002 22(2) 分类号： O484.1 O472+.1 关键词： 锗 硅 扫描隧道显微镜