高能质子单粒子翻转效应的模拟计算
在分析质子与硅反应的基础上,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型,建立了模拟计算方法.计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量.指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量,产生电荷,导致单粒子效应,得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系.并将计算得到的单粒子翻转截面与实验数据进行了比较.
作 者： 贺朝会 陈晓华 李国政 作者单位： 西北核技术研究所,陕西,西安,710024 刊 名： 计算物理 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS 年，卷(期)： 2002 19(4) 分类号： O571.42 O242.1 关键词： 质子 单粒子翻转 Monte Carlo模拟