氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究

氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究

利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析.发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n＜1)拟合氢分子角分布.脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关.根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释.

作 者： 阳生红 CH(A)TELET Marc YANG Sheng-hong CH(A)TELET Marc   作者单位： 阳生红,YANG Sheng-hong(中山大学光电材料与技术国家重点实验室//物理科学与工程技术学院,广东,广州,510275)

CH(A)TELET Marc,CH(A)TELET Marc(Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces,CNRS,Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex,France) 

刊 名： 中山大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS SUNYATSENI  年，卷(期)： 2007 46(6)  分类号： O552.3  关键词： 四极质谱仪   氢化Si(100)表面   脱附   氢分子角分布  

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