镶嵌在氢化氮化硅中纳米非晶硅粒子光吸收的模拟
采用量子限制效应模型对镶嵌有纳米非晶硅粒子的氢化氮化硅薄膜的光吸收进行了理论模拟,探讨了由吸收谱分析给出该结构薄膜光学参数的方法,并通过对不同氮含量样品的讨论给出了量子限制效应和纳米硅粒子表面的结构无序对薄膜光吸收特性的影响规律.分析结果表明,随氮含量的增加,薄膜有效光学带隙增大,该结果与薄膜中纳米硅粒子平均尺寸的减小引起的量子限制效应的增强相关,而小粒度纳米硅粒子比例增加所引入的较高微观结构无序度和较多缺陷将会导致薄膜低能吸收区吸收系数增加.
作 者： 于威 张丽 甄兰芳 杨彦斌 韩理 傅广生 YU Wei ZHANG Li ZHEN Lan-fang YANG Yan-bin HAN Li FU Guang-sheng 作者单位： 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071000 刊 名： 发光学报 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2007 28(6) 分类号： O472.3 关键词： 纳米非晶硅 量子限制效应 结构无序度