Sr掺杂锆钛酸铅(PSZT)薄膜的电可调性能研究

Sr掺杂锆钛酸铅(PSZT)薄膜的电可调性能研究

采用sol-gel工艺制备了Sr掺杂Pb(Zr, Ti)O3薄膜(Pb1-xSrxZr0.52Ti0.48O3,PSZT),研究了Sr含量(x=0.2～0.8)对PSZT薄膜的结构和性能的影响.结果表明:随Sr含量增加,PSZT由四方相转变为立方相,相变温度降低,逐渐由铁电相向顺电相转变.薄膜的εr、可调率和tanδ随Sr含量增加逐渐减小,这与Sr含量的增加导致PSZT薄膜晶格收缩有关.当x(Sr)为0.6时,PSZT薄膜具有较好的综合性能(1 MHz):可调率为48%,tanδ为0.02,表明PSZT有望成为电可调微波器件的候选材料.

作 者： 邵起越 董岩 方峰 蒋建清 SHAO Qi-yue DONG Yan FANG Feng JIANG Jan-qing   作者单位： 东南大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211189  刊 名： 电子元件与材料  ISTIC PKU 英文刊名： ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS  年，卷(期)： 2008 27(3)  分类号： O484.4  关键词： 无机非金属材料   锆钛酸铅   Sr掺杂   电可调性能   sol-gel法  

【Sr掺杂锆钛酸铅(PSZT)薄膜的电可调性能研究】相关文章：

Ag掺杂对ZnO薄膜的光电性能影响04-26

In掺杂纳米ZnO杀菌性能的研究04-26

N 掺杂ZnO薄膜的接触特性04-26

V2O5掺杂对TiO2纳米复合薄膜性能的影响04-26

掺镧钨酸铅晶体的EXAFS研究04-25

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂04-27

Al掺杂ZnO薄膜原子力显微图像的多重分形研究04-26

高导电聚苯胺薄膜的制备及其电磁屏蔽性能的研究04-26

镧钛改性膨润土吸附剂的制备与除磷性能的研究04-26

铬酸铅沉淀反应在凝胶中的扩散特征研究04-27