源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWP ECR CVD)方法,使用不同的源气体(CHF3/CH4, CHF3/C2H2, CHF3/C6H6)体系制备了a-C∶F∶H薄膜.由于CH4 ,C2H2 ,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6/CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H, 而用C2H2/CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高, 其相应的C-F 振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,a-C∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键和其他键结构的关联有关,此外,源气体对薄膜的F/C比和相对介电常量也有重要的影响.

作 者： 辛煜 宁兆元 程珊华 陆新华 江美福 许圣华 叶超 黄松 杜伟   作者单位： 辛煜,宁兆元,程珊华,江美福,许圣华,叶超,黄松,杜伟(苏州大学物理系,薄膜材料省重点实验室,苏州,215006)

陆新华(苏州大学化学系,分析测试中心,苏州,215006) 

刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(8)  分类号： O4  关键词： 氟化非晶碳膜   电子回旋共振化学气相沉积   红外吸收光谱  

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