β-FeSi2薄膜的结构与光电特性
用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜,在真空和Ar气中热退火2 h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜.发现Fe/Si多层膜在880℃温度下热退火后,制备的β-FeSi:薄膜的XRD结果均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向.原子力显微镜分析表明,Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品.根据光吸收谱测量,Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0.88 eV.由Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应,这种效应在真空退火样品中更为显著,在40W光源照射下,光电导效应大于30%.
作 者： 祝红芳 SHEN Hong-lie 尹玉刚 LU Lin-feng ZHU Hong-fang SHEN Hong-lie YIN Yu-gang LU Lin-feng 作者单位： 刊 名： 南昌大学学报（理科版） ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE) 年，卷(期)： 2008 32(3) 分类号： O484.1 TQ320.72 关键词： β-FeSi2薄膜 磁控溅射 择优取向 光电导效应