ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能

ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能

用共蒸发法在室温下沉积了ZnTe∶Cu多晶薄膜.刚沉积的不掺Cu的薄膜呈立方相，适度掺Cu时为立方相和六方相的混合相.随着Cu含量的增加，六方相增加，光能隙减小.根据暗电导温度关系，结合XRD和DSC的结果，认为在110℃、170℃开始出现类CuTe、类Cu2Te相以及Cu0、Cu＋离解的结果导致电导温度关系异常，应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为11.6%，面积为0.52cm2的CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太阳电池.

作 者： 郑家贵 张静全 蔡伟 黎兵 蔡亚平 冯良桓   作者单位： 四川大学材料科学系， 成都 610064  刊 名： 半导体学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2001 11(2)  分类号： O484  关键词： ZnTe∶Cu薄膜   制备   测试  

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