Cd1-xZnxTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用?
用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m.通过透射光谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系.作为对异质结界面的修饰,提出了有Cd1-x-ZnxTe过渡层的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe∶Cu电池.并在相同工艺下制备了CdS/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe∶Cu与CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太阳电池,发现前者比后者效率平均增加了35.0%.
作 者： 邵烨 郑家贵 蔡道林 张静全 蔡伟 武莉莉 蔡亚平 李卫 冯良桓 作者单位： 四川大学材料科学系,成都,610064 刊 名： 半导体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2003 24(2) 分类号： O484 关键词： Cd1-xZnxTe薄膜 共蒸发法 CdTe太阳电池 光能隙