中国800 MeV电子储存环的头尾不稳定性研究

中国800 MeV电子储存环的头尾不稳定性研究

从理论上和实验上论证了我国800 MeV电子储存环的头尾不稳定性阈值流强比国内外同类加速器高出近百倍的原因.指出这是由于真空室中清除电极产生的八极矩分量使得粒子自由振荡频率有一个分散性,提供了足够的朗道阻尼的结果.

作 者： 陈龙康 王筠华 孙葆根 金玉明   作者单位： 陈龙康(深圳大学理学院,深圳518060)

王筠华,孙葆根,金玉明(中国科技大学国家同步辐射实验室,合肥230029) 

刊 名： 深圳大学学报(理工版)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)  年，卷(期)： 2003 20(4)  分类号： O572.211 TL501  关键词： 头尾不稳定性   清除电极   频率散度  

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