高介电HfOxNy薄膜的制备及其光学性能研究

高介电HfOxNy薄膜的制备及其光学性能研究

采用直流反应磁控溅射方法,在硅衬底制备了高介电HfOxNy薄膜.用椭偏仪研究了后期退火处理对薄膜光学性质的影响,结果表明,薄膜的折射率随退火温度的升高而增加,这主要是由于高温退火导致薄膜内部缺陷减少,使得薄膜松散的内部结构变得更加致密;薄膜的消光系数随退火温度的升高而降低, 这是由于因为退火后薄膜内的缺陷减少.光学禁带宽度随退火温度的升高而增加,这是由于退火过程中薄膜中N 含量的减少而导致.

作 者： 王莹 张丽明 杨更须 WANG Ying ZHANG Li-ming YANG Geng-xu   作者单位： 王莹,张丽明,WANG Ying,ZHANG Li-ming(商丘职业技术学院,河南,商丘,476000)

杨更须,YANG Geng-xu(河南大学,化学化工学院,河南,开封,475001) 

刊 名： 应用化工  ISTIC 英文刊名： APPLIED CHEMICAL INDUSTRY  年，卷(期)： 2009 38(2)  分类号： O484  关键词： HfOxNy薄膜   直流反应磁控溅射   椭偏仪   光学特性  

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