高介电HfOxNy薄膜的制备及其光学性能研究
采用直流反应磁控溅射方法,在硅衬底制备了高介电HfOxNy薄膜.用椭偏仪研究了后期退火处理对薄膜光学性质的影响,结果表明,薄膜的折射率随退火温度的升高而增加,这主要是由于高温退火导致薄膜内部缺陷减少,使得薄膜松散的内部结构变得更加致密;薄膜的消光系数随退火温度的升高而降低, 这是由于因为退火后薄膜内的缺陷减少.光学禁带宽度随退火温度的升高而增加,这是由于退火过程中薄膜中N 含量的减少而导致.
杨更须,YANG Geng-xu(河南大学,化学化工学院,河南,开封,475001)
刊 名： 应用化工 ISTIC 英文刊名： APPLIED CHEMICAL INDUSTRY 年，卷(期)： 2009 38(2) 分类号： O484 关键词： HfOxNy薄膜 直流反应磁控溅射 椭偏仪 光学特性