ICP-PECVD法制备类金刚石膜

ICP-PECVD法制备类金刚石膜

以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-PECVD)法制备了类金刚石薄膜,使用.FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行r表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断(OES).研究了射频功率和基底在放电腔体中的佗置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响.实验结果表明:A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小.光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势.结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素.

作 者： 孙丽 白杰 朱立强 刘东平 SUN Li BAI Jie ZHU Li-qiang LIU Dong-ping   作者单位： 孙丽,白杰,SUN Li,BAI Jie(大连交通大学,机械工程学院,辽宁,大连116028)

朱立强,ZHU Li-qiang(大连交通大学,机械工程学院,辽宁,大连116028;大连民族学院,光电子技术研究所,辽宁,大连116600)

刘东平,LIU Dong-ping(大连民族学院,光电子技术研究所,辽宁,大连116600) 

刊 名： 大连交通大学学报  ISTIC 英文刊名： JOURNAL OF DALIAN JIAOTONG UNIVERSITY  年，卷(期)： 2009 30(2)  分类号： O484.5  关键词： ICP-PECVD   类金刚石膜   粗糙度   沉积速率   光谱诊断  

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