掺铒nc-Si/SiO2薄膜中nc-Si和Er3+与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响
对nc-Si/SiO2薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er3+和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO2薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er3+从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结论:在nc-Si颗粒附近的Er3+和其他的缺陷组成了nc-Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心,束缚激子通过Er3+的非辐射复合,激发Er3+产生1.54μm处的发光,同时降低了750nm处的发光强度.nc-Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er3+被激发的概率,引起1.54μm处的发光强度降低.
作 者： 陈长勇 陈维德 王永谦 宋淑芳 许振嘉 作者单位： 陈长勇,陈维德,宋淑芳,许振嘉(中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京,100080)王永谦(中国科学院半导体研究所,北京,100083)
刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2003 52(3) 分类号： O4 关键词： Er3+ nc-Si H处理