氧在银/二氧化硅催化剂上的超高真空程序升温脱附

氧在银/二氧化硅催化剂上的超高真空程序升温脱附

研究了氧在Ag/SiO2催化剂上的超高真空程序升温脱附. 结果表明,脱附谱中出现了对应于表面分子氧(Tp=340 K)、体相氧(Tp=570 K)和次表层氧(Tp=700～800 K)的脱附峰. 由于催化剂在制备过程中经过高温焙烧,因而其表面原子氧浓度低,脱附谱中未出现原子氧的脱附峰. 高温焙烧还可使表面缺陷浓度增大,有利于原子氧向体相扩散,形成体相溶解氧,也有利于体相氧向表面扩散,所以对应于体相氧的570 K脱附峰较强. 体相氧和次表层氧向表面的扩散遵循不同的扩散机理.

作 者： 任丽萍 戴维林 董义 乔明华 曹勇 李和兴 范康年   作者单位： 任丽萍,戴维林,董义,乔明华,曹勇,范康年(复旦大学化学系上海市分子催化与创新材料重点实验室,上海,200433)

李和兴(上海师范大学化学系,上海,200234) 

刊 名： 催化学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF CATALYSIS  年，卷(期)： 2003 24(9)  分类号： O643  关键词： 银   二氧化硅   超高真空程序升温脱附   扩散机理  

【氧在银/二氧化硅催化剂上的超高真空程序升温脱附】相关文章：

超高真空设备的放气分析04-26

程序升温脱附法测定固体酸催化剂的酸性04-25

警惕农村审计真空04-26

Ni2O3催化剂的制备及其催化NaClO分解产生活性氧的性能04-25

二氧化硅与信息材料教案04-25

点赞超高霸气的经典说说11-10

汽车催化剂的回收04-27

中国真空学会真空科技成就奖章程(2001年2月)04-27

真空热试验的温度测量系统04-26

木质包装:遭遇国标真空带04-27