GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响
用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化.
作 者： 黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 作者单位： 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心,北京,100088 刊 名： 半导体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2003 24(9) 分类号： O471.4 关键词： GaAs 退火 小角晶界 三轴晶模式衍射