GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响

GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响

用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化.

作 者： 黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕   作者单位： 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心,北京,100088  刊 名： 半导体学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2003 24(9)  分类号： O471.4  关键词： GaAs   退火   小角晶界   三轴晶模式衍射  

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