X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究

X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究

为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数.

作 者： 牟维兵 徐曦 MU Wei-bing XU Xi   作者单位： 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900  刊 名： 核电子学与探测技术  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2008 28(2)  分类号： O571.4 TN47  关键词： X射线   金/硅界面   剂量增强  

【X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究】相关文章：

紫外超短脉冲激光辐照固体靶产生硬X射线研究04-27

X射线脉冲星导航定位技术研究04-27

高能X射线的硬化校正04-27

同步辐射(软X射线)辐照玉米的细胞学效应研究04-27

大中专入校新生X射线胸透检查致工作人员辐射剂量的调查04-25

低能粒子与X射线在碳纳米管(绳)内传输研究的现状04-26

单颗粒大气气溶胶的同步辐射微束X射线研究04-27

粉晶X射线衍射在矿物岩石学研究中的应用04-26

名人故事：伦琴发现X射线的故事10-23

不同火源位置对烟熏痕迹影响的FDS模拟研究04-26