超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.

作 者： 谭天亚 李春梅 苏宇 徐广文 吴炜 郭永新 TAN Tian-Ya LI Chun-Mei SU Yu XU Guang-Wen WU Wei GUO Yong-Xin   作者单位： 辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室,沈阳,110036  刊 名： 原子与分子物理学报  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2008 25(1)  分类号： O484.1  关键词： Monte Carlo模拟   薄膜生长   基底温度   入射粒子剩余能量  

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