RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究

RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究

通过RF磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,并研究了磁控溅射中各生长参数,如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响.结果表明:溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响,并对不同的溅射工艺进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件:RF溅射温度小于300℃,功率为50 W,ψ(Ar:O2)为20:5,退火温度550～600℃,并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜.

作 者： 陈祝 张树人 杨成韬 陈富贵 董加和 王升 CHEN Zhu ZHANG Shu-ren YANG Cheng-tao CHEN Fu-gui DONG Jia-he WANG Sheng   作者单位： 陈祝,CHEN Zhu(成都信息工程学院通信工程系,四川,成都,610225)

张树人,杨成韬,陈富贵,董加和,王升,ZHANG Shu-ren,YANG Cheng-tao,CHEN Fu-gui,DONG Jia-he,WANG Sheng(电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054) 

刊 名： 电子元件与材料  ISTIC PKU 英文刊名： ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS  年，卷(期)： 2006 25(7)  分类号： N304.2 O484.1 TB43  关键词： 无机非金属材料   ZnO薄膜   RF磁控溅射   氧分压   择优取向  

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