一维多层掺杂光子晶体缺陷模的偏振特性
为了研究多层掺杂对一维光子晶体缺陷模偏振特性的影响,采用特征矩阵法计算了一维光子晶体双层掺杂和三层掺杂情况下缺陷模的偏振特征.结果表明:双层掺杂时,TE波和TM波都出现了两个缺陷模,两个缺陷模随入射角的增加向短波方向移动,TE波的两个缺陷模随入射角的增加而减弱,而TM波的两个缺陷模随入射角的增加而增强.三层掺杂时,TE波和TM波也都出现了两个缺陷模,但比两层掺杂的缺陷模要弱,TE波和TM波的两个缺陷模随入射角的变化特征与双层掺杂的情况相似.
作 者： 刘启能 Liu Qi-neng 作者单位： 重庆工商大学,废油资源化技术与装备工程研究中心,计算机科学与信息工程学院,重庆,400067 刊 名： 半导体光电 ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS 年，卷(期)： 2008 29(3) 分类号： O436 关键词： 光子晶体 特征矩阵 缺陷模 多掺杂