东西方面孔异族效应机理的电生理学证据
采取事件相关电位方法研究东西方面孔记忆编码的差异(DM效应),从而阐明异族效应的神经机制.14名被试学习和再认东西方面孔照片的实验结果表明,无论记住与否,西方面孔产生的早期成分(潜伏期70～220ms)在头皮额部有一个比东方面孔更为正向的变化,表明在此阶段更多的资源分配于异族面孔,支持异族效应产生的特征选择假说.无论东方面孔还是西方面孔,记住与未记住相比较,则在额部和顶部产生潜伏期在晚期正成分(LPC)范围的正走向变化,但西方面孔在240～320ms潜伏期范围内,DM效应较小.另外,东方面孔在枕部诱发出一个明显的负波N260,而西方面孔产生的N260很小甚至没有,反映了大脑对不同种族面孔的编码机制有所不同,因而可能被称为"种族特异波".
作 者： 彭小虎 罗跃嘉 卫星 王国锋 魏景汉 作者单位： 中国科学院心理研究所心理健康重点实验室,北京,100101 刊 名： 心理学报 ISTIC PKU CSSCI 英文刊名： ACTA PSYCHOLOGICA SINICA 年，卷(期)： 2003 35(1) 分类号： B842.2 关键词： 事件相关电位 异族效应 DM效应 记忆