光电耦合器位移损伤效应研究

光电耦合器位移损伤效应研究

文章针对光电耦合器在空间辐射应用中的位移损伤效应,选取了一种典型的光电耦合器4N25进行了1MeV高能电子辐照试验,获得了辐照后器件电流传输比参数(CTR)的退化与电子注量的关系:在试验注量范围(1.3×1012～1.5×1013cm-2)内,nCTR与电子通量成反比.通过位移损伤对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应作用机理.

作 者： 冯展祖 杨生胜 王云飞 高欣 王健 Feng Zhanzu Yang Shengsheng Wang Yunfei Gao Xin Wang Jian   作者单位： 兰州物理研究所,真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州,730000  刊 名： 航天器环境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2009 26(2)  分类号： V416.5 TN366  关键词： 光电耦合器   位移损伤   辐射效应  

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