SiO2载体表面原位合成MCM-41的结构特征
以溶液硅源和表面硅源两种合成路线在SiO2颗粒表面进行了MCM-41的原位合成,结果发现以两种方式均可得到MCM-41的有序结构.溶液硅源原位合成MCM-41的长程结构较好,两种硅源原位合成的MCM-41均能够在脱除模板剂过程中保持其长程有序结构.表面硅源原位合成MCM-41的孔径分布较窄,最可几孔径为3.81nm.本文还考察了OH/CTABr及SiO2/OH比对表面硅源原位合成MCM-41长程结构特征的影响.
作 者： 何静 段雪 李成岳 朱月香 作者单位： 何静,段雪,李成岳(北京化工大学可控化学反应科学与技术基础教育部重点实验室,北京,100029)朱月香(北京大学化学与分子工程学院,北京,100871)
刊 名： 无机化学学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY 年，卷(期)： 2002 18(2) 分类号： O613.72 关键词： MCM-41 原位合成 SiO2载体表面