离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究

离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究

分析了高能pb27+辐照预注入12C+的和未预注入12C+4H-SiC样品在,退火前后傅立叶变换红外光谱和拉曼散射光谱的变化.从傅立叶变换红外光谱可以知道,900℃以上的退火使损伤层发生显著恢复;在拉曼散射光谱中可以看到1200℃退火后有石墨相的存在.实验结果说明,高温退火有利于损伤的恢复,使注入到碳化硅中的碳原子发生聚集并引起相变.

作 者： 周丽宏 张崇宏 杨义涛 宋银 姚存峰 ZHOU Lihong ZHANG Chonghong YANG Yitao SONG Yin YAO Cunfeng   作者单位： 周丽宏,杨义涛,姚存峰,ZHOU Lihong,YANG Yitao,YAO Cunfeng(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100049)

张崇宏,宋银,ZHANG Chonghong,SONG Yin(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000) 

刊 名： 核技术  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR TECHNIQUES  年，卷(期)： 2007 30(4)  分类号： O657.33 O552.6 O472.3  关键词： 离子注入   辐照   4H-SiC   FTIR   Raman谱   退火