γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究
γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异.
作 者: 杨卫桥 干福熹 邓佩珍 徐军 李杼智 蒋成勇 作者单位: 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 刊 名: 人工晶体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年,卷(期): 2002 31(6) 分类号: O774 关键词: γ-LiAlO2晶体 缺陷 位错 同步辐射X射线形貌术 GaN衬底