γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究

γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究

γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异.

作 者： 杨卫桥 干福熹 邓佩珍 徐军 李杼智 蒋成勇   作者单位： 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800  刊 名： 人工晶体学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(6)  分类号： O774  关键词： γ-LiAlO2晶体   缺陷   位错   同步辐射X射线形貌术   GaN衬底  

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