用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺

用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺

用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成.界面氧化物是由于O原子穿过激活层,扩散到GaAs与(Cs,O)激活层的界而上而形成的.导入过量O会增加O-GaAs界面层的厚度,而对(Cs,O)激活层厚度影响较小.在激活过程中,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度,提高灵敏度的重要途径.在第一步激活后的阴极样品,通过较低温度的加热和再激活,能获得比第一步高出30%的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界而氧化层的厚度和界面势垒.

作 者： 汪贵华 杨伟毅 宗志园   作者单位： 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094  刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(6)  分类号： O485 O655.9  关键词： 砷化镓   光电阴极   激活   变角X射线光电子能谱  

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